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MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,金属无机归天学气相堆积) 技能,又称OMVPE、MOVPE 等,是1968 年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体薄弱膜的新技能。MOCVD 办法是将浓缩于载气中的金属无机化合物与Ⅴ族或Ⅵ族元素的氢化物在被加热的内涵衬底上举行剖析并产生反响,反响后的天生物堆积到内涵衬底上从而构成内涵薄膜的一种技能,使用这种技能可以生长出纳米级的高质量薄膜,正是由于这个特点使得MOCVD 技能普遍的使用到半导体器件的消费与制造中[1]。这种技能如今曾经成为III-V、II-VI 族化合物半导体高质量器件多层布局生长的最机动、本钱最低、服从最高的技能,近几十年以半导体技能的前进为驱动力的IT 财产的疾速开展,分外是新型半导体光电器件和微波器件的迅猛开展,宏大的市场需求以及MOCVD 技能的不停前进,使MOCVD成为了需求宏大的半导体制造要害中心设置装备摆设,也是光电子行业中最有开展出路的公用设置装备摆设之一。该设置装备摆设集精细机器、半导体质料、真空电子、流膂力学、光学、化学、盘算机等多学科为一体,是一种主动化水平高、代价昂贵、技能集成度高的尖端光电子公用设置装备摆设[2]。现在MOCVD 设置装备摆设已普遍使用于GaN(氮化镓)系半导体质料的内涵生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片、异质结双极晶体管(HBT)、高电子迁徙率晶体管(HFET)、太阳能电池、场效应管(FET)以及光学探测器等半导体器件的制造与研讨中,可见MOCVD 在半导体行业中具有着无足轻重[wú zú qīng zhòng]的位置。
外洋研讨概略
  MOCVD 设置装备摆设的制造技能被外洋多数几个公司所掌握,如德国的AIXTRON、英国的Thomas Swan 与EMF、美国的Veeco、日本的Nishia、Nippon Sanso 和NissinElectric 等,另有一些公司在消费历程中接纳本人共同的MOCVD 设置装备摆设。
  MOCVD 设置装备摆设原理简介
  MOCVD 设置装备摆设次要包罗气路体系、加热体系、反响室和检测及控制体系等四个局部。气路体系次要完成气源的运输、气体流量的准确控制、阀门的正确疾速切换以及废气的处置;加热体系次要是对反响产生的衬底举行加热,提供反响产生所必要的温度,并满意加热匀称、升温降温速率快、温度波动工夫短等要求;反响室是整个设置装备摆设的中心局部,反响气体在颠末输运体系进入反响室之后,在反响室中和加热的衬底外表辨别产生气相化学反响和外表化学反响,颠末分散、吸附、反响息争吸附等几个庞大的步调之后在衬底上匀称的内涵生长出同质或异质的晶体薄膜;检测及控制体系次要在线检测反响室内的温度场、薄膜厚度和匀称性等参数,并对气路与加热体系等局部举行控制。
  MOCVD 的加热体系有两个功效,一个是为装载无机源钢瓶的恒温水浴槽提供温度控制,另一个便是为反响室提供内涵生长所必要的温度,在反响室中的次要温度控制设置装备摆设便是石墨载片台上面的加热电炉,经过改动加热电炉的功率来对反响室的温度举行调治,以满意内涵生长的必要。加热体系设计的中心便是加热电炉的设计,MOCVD 设置装备摆设在生长历程中一样平常必要1500℃左右的加热温度,那么加热电炉的热体则至多必要可以接受2000℃以上的低温,九游会选择的热体质料必需可以接受这种低温,并且在这种低温下质料的性子要很波动,如许才干包管电炉的永劫间波动加热。现在实用于这种状况的质料次要有铼、钨以及钨铼合金这几种。

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